IXGK35N120CD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXGK35N120CD1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 260 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 170 nC
   Paquete / Cubierta: TO264

Búsqueda de reemplazo de IXGK35N120CD1 - IGBT

IXGK35N120CD1 Datasheet (PDF)

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Preliminary Data SheetIXGK 35N120C VCES = 1200 VHiPerFASTTM IGBTIXGX 35N120C IC25 = 70 AIXGK 35N120CD1 VCE(sat) = 4.0 VIXGX 35N120CD1 tfi(typ) = 115 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGCC (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AIC9

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Preliminary Data SheetIXGK 35N120B VCES = 1200 VHiPerFASTTM IGBTIXGX 35N120B IC25 = 70 AIXGK 35N120BD1 VCE(sat) = 3.3 VIXGX 35N120BD1 tfi(typ) = 160 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGCC (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AIC9

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