IXGK82N120A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGK82N120A3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 260 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 520 pF
Encapsulados: TO264
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IXGK82N120A3 datasheet
ixgk82n120a3.pdf
Preliminary Technical Information GenX3TM 1200V VCES = 1200V IXGK82N120A3 IC110 = 82A IGBTs IXGX82N120A3 VCE(sat) 2.05V Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G C Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V E E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 3
ixgk82n120b3.pdf
Advance Technical Information GenX3TM 1200V VCES = 1200V IXGK82N120B3 IC110 = 82A IGBTs IXGX82N120B3 VCE(sat) 3.20V High-Speed Low-Vsat PT IGBTs for 3 - 20 kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V C (TAB) E E VGES Continuous 20 V VGEM Transient
ixgk80n60a.pdf
IXGK80N60A Preliminary data VCES = 600 V IXGK80N60A HiPerFASTTM IGBT IC25 = 80 A VCE(sat) = 2.7 V tfi = 275 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C, limited by leads 80 A IC90 TC = 90 C80 A G = Gate C = Co
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