IXGN400N60B3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGN400N60B3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1000 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 430 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.25 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1560 pF

Encapsulados: SOT227B

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IXGN400N60B3 datasheet

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IXGN400N60B3

Preliminary Technical Information VCES = 600V IXGN400N60B3 GenX3TM 600V IGBT IC25 = 430A VCE(sat) 1.40V Medium-Speed Low-Vsat PT IGBT for 5-40 kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V

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IXGN400N60B3

VCES = 600V IXGN400N60A3 GenX3TM 600V IGBT IC25 = 400A VCE(sat) 1.25V Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 5kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Chip Capability) 400 A E

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IXGN400N60B3

VCES = 300V IXGN400N30A3 GenX3TM 300V IGBT IC25 = 400A VCE(sat) 1.15V Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 10kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Chip Capability) 400 A E

Otros transistores... IXGN100N170, IXGN120N60A3, IXGN120N60A3D1, IXGN200N60A2, IXGN200N60B3, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3, SGT50T65FD1PT, IXGN50N120C3H1, IXGN60N60C2, IXGN60N60C2D1, IXGN72N60A3, IXGN72N60C3H1, IXGN82N120B3H1, IXGN82N120C3H1, IXGP12N120A2