IXGR40N60B2D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGR40N60B2D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 167 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 210 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXGR40N60B2D1 datasheet

..1. Size:499K ixys
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VCES = 600 V IXGR 40N60B2 HiPerFASTTM IGBT IXGR 40N60B2D1 IC25 = 75 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 1.9 V C2-Class High Speed IGBTs tfi typ = 82 ns (Electrically Isolated Back Surface) Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Preliminary Data Sheet D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXGR) E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V V

3.1. Size:499K ixys
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4.1. Size:53K ixys
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VCES = 600 V IXGR 40N60B HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGR 40N60BD1 ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.1 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 180 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E153432 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC = 25 C 70 A C E Isolated Backsi

4.2. Size:53K ixys
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