IXGR40N60C2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGR40N60C2

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 170 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

Búsqueda de reemplazo de IXGR40N60C2 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IXGR40N60C2 datasheet

..1. Size:173K ixys
ixgr40n60c2.pdf pdf_icon

IXGR 40N60C2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 40N60C2D1 IC25 = 56 A ISOPLUS247TM VCE(SAT) = 2.7 V C2-Class High Speed IGBTs tfi(typ = 32 ns (Electrically Isolated Back Surface) Preliminary Data Sheet ISOPLUS 247TM (IXGR) IXGR_C2 IXGR_C2D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C ISOLATED TAB E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VG

0.1. Size:173K ixys
ixgr40n60c2d1.pdf pdf_icon

4.1. Size:510K ixys
ixgr40n60cd1.pdf pdf_icon

VCES = 600 V IXGR 40N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGR 40N60CD1 ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.7 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 75 ns Preliminary Data Sheet (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E Isolated Back

4.2. Size:510K ixys
ixgr40n60c.pdf pdf_icon

Otros transistores... IXGR35N120BD1, IXGR35N120C, IXGR39N60B, IXGR39N60BD1, IXGR40N60B, IXGR40N60B2, IXGR40N60B2D1, IXGR40N60C, CRG75T65AK5HD, IXGR40N60C2D1, IXGR40N60CD1, IXGR48N60B3, IXGR48N60B3D1, IXGR48N60C3D1, IXGR50N160H1, IXGR50N60A2U1, IXGR50N60B

IXGR40N60C2 Todos los transistores