IXGR72N60B3H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGR72N60B3H1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 576 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXGR72N60B3H1 datasheet

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IXGR72N60B3H1

Preliminary Technical Information TM VCES = 600V GenX3 600V IGBT IXGR72N60B3H1 IC110 = 40A (Electrically Isolated Back Surface) VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 92ns Medium Speed Low Vsat PT IGBT for 5-40 kHz Switching ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continu

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IXGR72N60B3H1

Preliminary Technical Information GenX3TM B3-Class VCES = 600V IXGR72N60B3D1 IGBT w/Diode IC110 = 40A VCE(sat) 1.80V (Electrically Isolated Back Surface) tfi(typ) = 90ns Medium Speed Low Vsat PT IGBTs for 5-40 kHz Switching ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES

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IXGR72N60B3H1

TM VCES = 600V GenX3 600V IGBT IXGR72N60C3D1 IC110 = 35A with Diode VCE(sat) 2.7V High-Speed Low-Vsat PT IGBT tfi(typ) = 55ns 40-100 kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C Isolated Tab E IC25 TC = 25

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IXGR72N60B3H1

VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGR72N60A3 IC110 = 52A VCE(sat) 1.35V Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to 5kHz switching tfi(typ) = 250ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247TM (IXGR) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E153432 VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC110 TC = 110 C 52 A G ICM TC

Otros transistores... IXGR60N60C2D1, IXGR60N60C3C1, IXGR60N60C3D1, IXGR64N60A3, IXGR6N170A, IXGR72N60A3, IXGR72N60A3H1, IXGR72N60B3D1, FGD4536, IXGR72N60C3D1, IXGT10N170, IXGT10N170A, IXGT15N120B2D1, IXGT16N170, IXGT16N170A, IXGT16N170AH1, IXGT20N120