IXGT72N60A3 Todos los transistores

 

IXGT72N60A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGT72N60A3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 540 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 360 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 230 nC
   Paquete / Cubierta: TO268
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGT72N60A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
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IXGT72N60A3

IXGH72N60A3 VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGT72N60A3IC110 = 72AUltra Low Vsat PT IGBT forVCE(sat) 1.35Vup to 5kHz switchingtfi(typ) = 250nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC C (TAB)EIC25 TC = 25C (lim

 5.1. Size:186K  ixys
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IXGT72N60A3

GenX3TM B3-Class VCES = 600VIXGH72N60B3IC110 = 72AIGBTsIXGT72N60B3VCE(sat) 1.80Vtfi(typ) = 90nsMedium Speed low Vsat PTIGBTs 5-40 kHz SwitchingTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC(TAB)EVGEM Transient 30 VIC25 TC = 2

Otros transistores... IXGT50N90B2 , IXGT60N60B2 , IXGT60N60C2 , IXGT60N60C3D1 , IXGT64N60A3 , IXGT64N60B3 , IXGT6N170 , IXGT6N170A , IRG4PC50U , IXGT72N60B3 , IXGV25N250S , IXGX100N170 , IXGX120N120A3 , IXGX120N120B3 , IXGX120N60A3 , IXGX120N60B3 , IXGX120N60C2 .

History: JNG15T120HFU1 | IXER35N120D1 | IXDH30N120 | APT100GN60B2G | MPMD100B120RH

 

 
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