IXGX40N60BD1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGX40N60BD1
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 370 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 116 nC
Paquete / Cubierta: PLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXGX40N60BD1 - IGBT
IXGX40N60BD1 Datasheet (PDF)
ixgx40n60bd1.pdf
IXGX 40N60BD1VCES = 600 VHiPerFASTTMIC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 2.1 Vtfi(typ) = 180 nsPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS247VCES TJ = 25C to 150C 600 V (IXGX)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VG = Gate C = CollectorIC25 TC = 25C75 AE = Emitter Tab = CollectorIC110
ixgx400n30a.pdf
GenX3TM 300V IGBT VCES = 300VIXGK400N30A3IC25 = 400AIXGX400N30A3VCE(sat) 1.15VUltra-low Vsat PT IGBTs forup to 10kHz switchingTO-264Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 300 VGCVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 V (TAB)EEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247TMIC25 TC = 25C 400 AIC110 TC
ixgx400n30a3.pdf
GenX3TM 300V IGBTs VCES = 300VIXGK400N30A3IC25 = 400AIXGX400N30A3VCE(sat) 1.15VUltra-Low Vsat PT IGBTs forup to 10kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 300 VCTabEEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247TM (IXGX)IC25 TC = 25C (
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Liste
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