IXXK200N60C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXK200N60C3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1630 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 340 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 570 pF
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de IXXK200N60C3 - IGBT
IXXK200N60C3 Datasheet (PDF)
ixxk200n60c3.pdf
Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK200N60C3IC110 = 200AGenX3TM IXXX200N60C3 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 VVGEM
ixxk200n60b3.pdf
Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK200N60B3IC110 = 200AGenX3TM IXXX200N60B3 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 VVGE
ixxk200n65b4.pdf
Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXXK200N65B4IC110 = 200AGenX4TM IXXX200N65B4 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)GCSymbol Test Conditions Maximum RatingsETabVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to
Otros transistores... IXXH50N60C3D1 , IXXH75N60B3 , IXXH75N60B3D1 , IXXH75N60C3 , IXXH75N60C3D1 , IXXK100N60B3H1 , IXXK100N60C3H1 , IXXK200N60B3 , MGD623S , IXXP50N60B3 , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , IXXX200N60C3 , IXYB82N120C3H1 , IXYH50N120C3 , IXYH82N120C3 , IXYN82N120C3H1 .
Liste
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