MII145-12A3 Todos los transistores

 

MII145-12A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MII145-12A3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 700 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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MII145-12A3 datasheet

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MII145-12A3

MII145-12A3 VCES = 2x 1200V IGBT (NPT) Module I= 160A C25 VCE(sat) = 2.2V Phase leg Part number MII145-12A3 Backside isolated 1 7 6 3 4 5 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medica

Otros transistores... MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , IRG4PF50W , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 .

History: MIEB101W1200DPFEH | 6MBP35VDA120-50 | MIXA10WB1200TML | IKW50N65H5

 

 

 

 

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