MII145-12A3 Todos los transistores

 

MII145-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MII145-12A3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 700 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 480 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE

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MII145-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
mii145-12a3.pdf

MII145-12A3
MII145-12A3

MII145-12A3VCES = 2x 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 160AC25VCE(sat) = 2.2VPhase legPart numberMII145-12A3Backside: isolated1763452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medica

Otros transistores... MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , IKW40N65WR5 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 .

 

 
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