MII300-12A4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MII300-12A4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1380 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 330 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MII300-12A4 IGBT
MII300-12A4 Datasheet (PDF)
mii300-12a4.pdf

MII 300-12A4 MID 300-12A4 MDI 300-12A4IC25 = 330 AIGBT ModulesVCES = 1200 VShort Circuit SOA CapabilityVCE(sat) typ. = 2.2 VSquare RBSOAMII 300-12A4 MID 300-12A4MDI 300-12A411 103 3 39T1T1 8D1D1 D113288119 1 19T2 T2D2D12 D211 11E7287310 2 102 2FeaturesIGBTs T1 - T2 NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings
Otros transistores... MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , IRG4PC50W , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 .
History: STGB19NC60KD | APT65GP60JDF2 | IXGP20N100 | MIXA10W1200TML | MIXA151W1200EH | IXXH60N65B4H1 | TT025N120EQ
History: STGB19NC60KD | APT65GP60JDF2 | IXGP20N100 | MIXA10W1200TML | MIXA151W1200EH | IXXH60N65B4H1 | TT025N120EQ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor