MIO1200-25E10 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIO1200-25E10
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1650 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
Paquete / Cubierta: E10
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MIO1200-25E10 Datasheet (PDF)
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History: IKW50N65WR5 | SKM200GAH123DKL
History: IKW50N65WR5 | SKM200GAH123DKL
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