MIO2400-17E10 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIO2400-17E10
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 3300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
Paquete / Cubierta: E10
- Selección de transistores por parámetros
MIO2400-17E10 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , RJP6065DPM , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH , MITB10WB1200TMH , MITB15WB1200TMH , 2PG009 , MIXA100W1200TEH .
History: APT45GP120B2DF2 | DF160R12W2H3_B11 | MMG75S120B6C | BSM400GA120DLC | MG100Q2YS50 | IXYH50N65C3 | ISL9V2040S3S
History: APT45GP120B2DF2 | DF160R12W2H3_B11 | MMG75S120B6C | BSM400GA120DLC | MG100Q2YS50 | IXYH50N65C3 | ISL9V2040S3S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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