MUBW40-12T7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MUBW40-12T7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 62 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 330 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MUBW40-12T7 - IGBT
MUBW40-12T7 Datasheet (PDF)
mubw40-12t7.pdf
MUBW 40-12 T7Converter - Brake - Inverter Module (CBI2)Trench-IGBT21 22 D3 D5D11 D13 D15 D7 D1NTC18 20T1 T3 T5816717 191 2 3 15 65 4E72873 D2 D4 D6D12 D14 D16See outline drawing for pin arrangement1114 1312T7 T2 T4 T691023 24Preliminary dataThree Phase Brake Chopper Three PhaseRectifier InverterVRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V
mubw45-12t6k.pdf
MUBW45-12T6KThree Phase Brake Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Chopper Inverter Module (CBI 1)VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 VIDAVM25 = 151 A IC25 = 19 A IC25 = 43 ATrench IGBTIFSM = 320 A VCE(sat) = 2.9 V VCE(sat) = 2.5 VPreliminary dataPart name (Marking on product)MUBW45-12T6KE72873Pin configuration see outlines.Features: Application: Pack
Otros transistores... MUBW25-12T7 , MUBW30-06A7 , MUBW30-12A6K , MUBW30-12E6K , MUBW35-06A6K , MUBW35-12A7 , MUBW35-12A8 , MUBW35-12E7 , RJP63K2DPP-M0 , MUBW45-12T6K , MUBW50-06A7 , MUBW50-06A8 , MUBW50-12A8 , MUBW50-12E8 , MUBW50-12T8 , MUBW50-17T8 , MUBW75-06A8 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2