MUBW40-12T7 Todos los transistores

 

MUBW40-12T7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MUBW40-12T7
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 62 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MUBW40-12T7 Datasheet (PDF)

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 mubw40-12t7.pdf pdf_icon

MUBW40-12T7

MUBW 40-12 T7Converter - Brake - Inverter Module (CBI2)Trench-IGBT21 22 D3 D5D11 D13 D15 D7 D1NTC18 20T1 T3 T5816717 191 2 3 15 65 4E72873 D2 D4 D6D12 D14 D16See outline drawing for pin arrangement1114 1312T7 T2 T4 T691023 24Preliminary dataThree Phase Brake Chopper Three PhaseRectifier InverterVRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V

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 mubw45-12t6k.pdf pdf_icon

MUBW40-12T7

MUBW45-12T6KThree Phase Brake Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Chopper Inverter Module (CBI 1)VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 VIDAVM25 = 151 A IC25 = 19 A IC25 = 43 ATrench IGBTIFSM = 320 A VCE(sat) = 2.9 V VCE(sat) = 2.5 VPreliminary dataPart name (Marking on product)MUBW45-12T6KE72873Pin configuration see outlines.Features: Application: Pack

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