MWI100-12A8 Todos los transistores

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MWI100-12A8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MWI100-12A8

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1200V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.2V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 160A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: E3

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MWI100-12A8 Datasheet (PDF)

1.1. mwi100-12t8t.pdf Size:319K _igbt

MWI100-12A8
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MWI100-12T8T VCES = 1200 V Six-Pack IC25 = 145 A Trench IGBT VCE(sat) = 1.7 V Part name (Marking on product) MWI100-12T8T 16, 17, 18 30, 31, 32 5 9 1 19 6 10 2 27 24 21 E72873 28 25 22 NTC 29 26 23 Pin configuration see outlines. 20 3 7 11 4 8 12 33, 34, 35 13, 14, 15 Features: Application: Package: • Trench IGBT technology • AC motor drives • "E3-Pack" standar

1.2. mwi100-12a8.pdf Size:128K _igbt

MWI100-12A8
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MWI 100-12 A8 IC25 = 160 A IGBT Modules VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 1 5 9 2 6 10 19 17 15 E72873 3 7 11 See outline drawing for pin arrangement 4 8 12 14, 20 Features IGBTs €€NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings €€low saturation voltage €€low switching losses VCES TVJ = 25°C to

1.3. mwi100-12e8.pdf Size:182K _igbt

MWI100-12A8
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MWI 100-12 E8 MKI 100-12 E8 IC25 = 165 A IGBT Modules VCES = 1200 V Sixpack, H Bridge VCE(sat) typ. = 2.0 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 13, 21 1 5 9 1 9 6 2 10 2 10 19 19 17 15 15 7 11 11 3 3 E72873 4 4 8 12 12 See outline drawing for pin arrangement 14, 20 14, 20 MWI MKI Features IGBTs • NPT3 IGBTs Symbol Conditions Maximum Ratings - low sa

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