MWI300-12E9 Todos los transistores

 

MWI300-12E9 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MWI300-12E9

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 530 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MWI300-12E9 datasheet

 9.1. Size:102K  ixys
 mwi30-06a7t.pdf pdf_icon

MWI300-12E9

MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type NTC - Option T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Max

 9.2. Size:102K  ixys
 mwi30-06a7.pdf pdf_icon

MWI300-12E9

MWI 30-06 A7 MWI 30-06 A7T IC25 = 45 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ. = 1.9 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 1 5 9 Type NTC - Option T 2 6 10 NTC 16 MWI 30-06 A7 without NTC 15 14 MWI 30-06 A7T with NTC 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Max

Otros transistores... MWI15-12A6K , MWI15-12A7 , MWI200-06A8 , MWI225-12E9 , MWI225-17E9 , MWI25-12A7 , MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , FGH60N60SFD , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , MWI35-12A7 , MWI35-12T7T , MWI450-12E9 , MWI451-17E9 .

History: MMG200DR060DE | MMG200DR120UA | MMG225WB170B6EN | MMG150HB060B6EN

 

 

 


 
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