MWI30-06A7 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MWI30-06A7
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 140 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 45 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 150 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MWI30-06A7 Datasheet (PDF)
mwi30-06a7.pdf
MWI 30-06 A7MWI 30-06 A7TIC25 = 45 AIGBT ModulesVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA131 5 9Type: NTC - Option:T2 6 10NTC16MWI 30-06 A7 without NTC1514MWI 30-06 A7T with NTC3 7 11 E72873T4 8 12See outline drawing for pin arrangement17Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Max
mwi30-06a7t.pdf
MWI 30-06 A7MWI 30-06 A7TIC25 = 45 AIGBT ModulesVCES = 600 VSixpackVCE(sat) typ. = 1.9 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA131 5 9Type: NTC - Option:T2 6 10NTC16MWI 30-06 A7 without NTC1514MWI 30-06 A7T with NTC3 7 11 E72873T4 8 12See outline drawing for pin arrangement17Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Max
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History: IXGA20N60B
History: IXGA20N60B
Liste
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