MWI50-12E6K Todos los transistores

 

MWI50-12E6K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MWI50-12E6K

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1200V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.9V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 51A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: E1

Búsqueda de reemplazo de MWI50-12E6K - IGBT

 

MWI50-12E6K Datasheet (PDF)

2.1. mwi50-12a7.pdf Size:91K _igbt

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MWI 50-12 A7 MWI 50-12 A7T IC25 = 85 A IGBT Modules VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 Type: NTC - Option: 1 5 9 T 2 6 10 NTC MWI 50-12 A7 without NTC 16 15 MWI 50-12 A7T with NTC 14 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs ● NPT IGBT technology ● Symbol Conditions Ma

2.2. mwi50-12t7t.pdf Size:241K _igbt

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MWI 50-12T7T IC25 = 80 A Six-Pack VCES = 1200 V Trench IGBT VCE(sat) typ. = 1.7 V Part name (Marking on product) MWI 50-12T7T 15, 16 25, 26 1 5 9 17 2 6 10 23, 24 21, 22 NTC 19, 20 E72873 Pin configuration see outlines. 18 3 7 11 4 8 12 13, 14 27, 28 Features: Application: Package: • Trench IGBT technology • AC motor drives • "E2-Pack" standard outline • lo

 2.3. mwi50-12a7t.pdf Size:91K _igbt

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MWI 50-12 A7 MWI 50-12 A7T IC25 = 85 A IGBT Modules VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 Type: NTC - Option: 1 5 9 T 2 6 10 NTC MWI 50-12 A7 without NTC 16 15 MWI 50-12 A7T with NTC 14 3 7 11 E72873 T 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 17 Features IGBTs ● NPT IGBT technology ● Symbol Conditions Ma

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