STGB7NC60HD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STGB7NC60HD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: GB7NC60HD
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 80 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.75 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8.5 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 81 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 35 nC
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de STGB7NC60HD - IGBT

STGB7NC60HD Datasheet (PDF)

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STGP7NC60HDSTGF7NC60HD - STGB7NC60HDN-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAKVery Fast PowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP7NC60HD 600 V

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STGB7NC60HD, STGF7NC60HD, STGP7NC60HDN-channel 14 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diodeDatasheet - production dataFeaturesTABTAB Low on-voltage drop (VCE(sat)) Off losses include tail current33 1 Losses include diode recovery energy 21 High frequency operation up to 70 kHz DPAK (TO-263)IPAK (TO-262) Very soft ultra fast recovery anti para

..3. Size:1358K st
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STGP7NC60KD - STGF7NC60KDSTGB7NC60KDN-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAKSHORT CIRCUIT RATED PowerMESH IGBTPRODUCT PREVIEWTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC (#) @25C @100CSTGB7NC60KD 600 V

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