STGF8NC60KD Todos los transistores

 

STGF8NC60KD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGF8NC60KD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: GF8NC60KD
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 24 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 6 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 46 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 19 nC
   Paquete / Cubierta: TO220FP

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STGF8NC60KD Datasheet (PDF)

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STGF8NC60KD
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STGB8NC60KD - STGD8NC60KDSTGF8NC60KD - STGP8NC60KD600 V - 8 A - short circuit rugged IGBTFeatures2 Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1susceptibility)32 DPAK1 Very soft ultra fast recovery antiparallel diode TO-220 Short circuit withstand time 10 s2Applications High frequency motor controls 3 32

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STGF8NC60KD
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STGB8NC60KD - STGD8NC60KDSTGF8NC60KD - STGP8NC60KD600 V - 8 A - short circuit rugged IGBTFeatures2 Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1susceptibility)32 DPAK1 Very soft ultra fast recovery antiparallel diode TO-220 Short circuit withstand time 10 s2Applications High frequency motor controls 3 32

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