STGP10NB60S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGP10NB60S
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 80 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 460 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 33 nC
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
STGP10NB60S Datasheet (PDF)
stgp10nb60s.pdf

STGP10NB60SN-CHANNEL 10A - 600V TO-220PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP10NB60S 600 V
stgp10nb60s stgp10nb60sfp stgb10nb60s.pdf

STGP10NB60SSTGP10NB60SFP- STGB10NB60SN-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAKPowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP10NB60S 600 V
stgp10nb60sfp.pdf

STGP10NB60SFPN-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FPPowerMesh IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP10NB60SFP 600
stgf10nb60sd stgp10nb60sd.pdf

STGF10NB60SDSTGP10NB60SD16 A, 600 V, low drop IGBT with soft and fast recovery diodeFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability TAB Very soft ultra fast recovery antiparallel diodeApplications3 32211 Light dimmer Static relaysTO-220FPTO-220 Motor driveDescriptionThis IGBT utilizes the advanced Power MESH Figure 1.
Otros transistores... STGF3NC120HD , STGF6NC60HD , STGF7NB60SL , STGF7NC60HD , STGF8NC60KD , STGFL6NC60D , STGFL6NC60DI , STGP10NB37LZ , GT30G124 , STGP10NB60SD , STGP10NC60HD , STGP10NC60KD , STGP10NC60S , STGP14NC60KD , STGP18N40LZ , STGP19NC60HD , STGP19NC60KD .



Liste
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