SIW50N65G2L2G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIW50N65G2L2G
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 270 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 41 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 116 pF
Paquete / Cubierta: TO247
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SIW50N65G2L2G Datasheet (PDF)
siw50n65g2l2g.pdf
SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*50N65G2L2GRev. 1.0Jan. 2024www.supersemi.com.cnSIW50N65G2L2G650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 50 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sat)
siw50n65g2h2g.pdf
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Liste
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