SIW50N65G2L2G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIW50N65G2L2G
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 270
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 41
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 116
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 105
Paquete / Cubierta: TO247
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SIW50N65G2L2G Datasheet (PDF)
siw50n65g2l2g.pdf
SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*50N65G2L2GRev. 1.0Jan. 2024www.supersemi.com.cnSIW50N65G2L2G650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 50 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sat)
siw50n65g2h2g.pdf
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History: SKM200GA123D
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