1MBC10-060 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBC10-060
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Paquete / Cubierta: TO220AB
- Selección de transistores por parámetros
1MBC10-060 Datasheet (PDF)
1mbc15-060.pdf
Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim
Otros transistores... 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 , 1MB20D-060 , 1MB30-060 , 1MBC03-120 , 1MBC05-060 , 1MBC05D-060 , FGH60N60SFD , 1MBC10D-060 , 1MBC15-060 , 1MBG05D-060 , 1MBG10D-060 , 1MBH03D-120 , 1MBH05D-060 , 1MBH05D-120 , 1MBH08D-120 .
History: APT15GT60KR | SPM1003 | DM2G150SH12AE | TT060U065FB
History: APT15GT60KR | SPM1003 | DM2G150SH12AE | TT060U065FB
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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