GT50L101 Todos los transistores

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GT50L101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT50L101

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 800V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 4V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 700

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO264

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GT50L101 Datasheet (PDF)

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