GT50L101 Todos los transistores

 

GT50L101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT50L101
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 800 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

GT50L101 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  toshiba
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GT50L101

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History: FGB7N60UNDF | VS-GT400TH120N | CM75DY-28H | RGT8BM65D | APT15GT60BRG | IXGH48N60A3

 

 
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