GT50L101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT50L101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 800 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: TO3P
- Selección de transistores por parámetros
GT50L101 Datasheet (PDF)
Otros transistores... GT40M301 , GT40T301 , GT50G101 , GT50G102 , GT50J101 , GT50J102 , GT50J301 , GT50J322 , YGW60N65F1A1 , GT50M101 , GT50Q101 , GT50S101 , GT50T101 , GT5G101 , GT5G102 , GT5G102LB , GT5G103 .
History: FGB7N60UNDF | VS-GT400TH120N | CM75DY-28H | RGT8BM65D | APT15GT60BRG | IXGH48N60A3
History: FGB7N60UNDF | VS-GT400TH120N | CM75DY-28H | RGT8BM65D | APT15GT60BRG | IXGH48N60A3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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