1MBC15-060 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBC15-060
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 90 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 24 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de 1MBC15-060 IGBT
1MBC15-060 Datasheet (PDF)
1mbc15-060.pdf
Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim
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History: IRG4PH50UDPBF | NGTB20N120IHRWG | IXGH40N60B2 | SKM100GB173D | IXSK30N60CD1 | SKM145GAY123D | STGB19NC60HDT4
History: IRG4PH50UDPBF | NGTB20N120IHRWG | IXGH40N60B2 | SKM100GB173D | IXSK30N60CD1 | SKM145GAY123D | STGB19NC60HDT4
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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