GT75G101 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT75G101
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 8(max) V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Paquete / Cubierta: TO3P
- Selección de transistores por parámetros
GT75G101 Datasheet (PDF)
Otros transistores... GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT60M303 , IKW30N60H3 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB , GT8J101 .
History: CM600HG-90H | IRG4PC30FPBF | 7MBR75VR120-50 | NGTB30N60FWG | F3L100R07W2E3-B11 | SHD724502 | NGD8201B
History: CM600HG-90H | IRG4PC30FPBF | 7MBR75VR120-50 | NGTB30N60FWG | F3L100R07W2E3-B11 | SHD724502 | NGD8201B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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