APT100GF60JU3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APT100GF60JU3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 470 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 330 nC
Paquete / Cubierta: SOT227
Búsqueda de reemplazo de APT100GF60JU3 - IGBT
APT100GF60JU3 Datasheet (PDF)
Otros transistores... KGT40N60KDA , KGT50N60KDA , RJH30E2DPP , IRG4PC60UPBF , APT100GF60B2R , APT100GF60JR , APT100GF60JRD , APT100GF60JU2 , SGT50T65FD1PN , APT100GT120JU2 , APT100GT120JU3 , APT11GF120BRD1 , APT11GF120KR , APT11GP60BDQB , APT11GP60K , APT12GT60BR , APT12GT60KR .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2