GT15J301 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT15J301
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Encapsulados: 2-10R1C
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GT15J301 datasheet
gt15j301.pdf
GT15J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT15J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third-generation IGBT Enhancement mode type High speed tf = 0.30 s (Max.) (IC = 15A) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.7V (Max.) (IC = 15A) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATI
gt15j321.pdf
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History: IXYP8N90C3D1
History: IXYP8N90C3D1
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