GT8J101 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT8J101  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 30 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS

Encapsulados: TO220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de GT8J101 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GT8J101 datasheet

 ..1. Size:114K  toshiba
 gt8j101.pdf pdf_icon

GT8J101

 8.1. Size:222K  toshiba
 gt8j102.pdf pdf_icon

GT8J101

Otros transistores... GT75G101, GT80J101, GT8G101, GT8G102, GT8G103, GT8G103LB, GT8G121, GT8G121LB, CRG75T60AK3HD, GT8J102, GT8N101, GT8Q101, GT8Q102, HGT1S10N120BNS, HGT1S11N120CNS, HGT1S12N60A4DS, HGT1S12N60A4S