1MBG05D-060 Todos los transistores

 

1MBG05D-060 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MBG05D-060
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 50 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 13 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 85 pF
   Paquete / Cubierta: T-PACK-S
 

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1MBG05D-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  fuji
 1mbc05-060 1mbc05d-060 1mbg05d-060.pdf pdf_icon

1MBG05D-060

1MBC05-060,1MBC05D-060,Molded IGBT1MBG05D-060600V / 5AMolded PackageFeatures Small molded package Low power loss Soft switching with low switching surge and noise High reliability, high ruggedness (RBSOA, SCSOA etc.) Comprehensive line-upApplications Inverter for Motor drive AC and DC Servo drive amplifier Uninterruptible power supplyEquivalent Circ

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History: FGY100T65SCDT | AOK30B60D | APTLGF70U120T | CM200E3U-24F | IGW60N60H3 | LEGM75BF120L5H | 2MBI50F-120

 

 
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