BRG15N120D Todos los transistores

 

BRG15N120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRG15N120D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 186 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 39 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 67 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 130 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRG15N120D Datasheet (PDF)

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History: SGP15N60 | TGH30N120FD | IRG4PSH71KD | HGTG30N60C3D | IXBH9N160 | GPU150HF120D2 | IRG4PH30K

 

 
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