F3L300R07PE4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L300R07PE4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 940 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Paquete / Cubierta: ECONOPACK4
- Selección de transistores por parámetros
F3L300R07PE4 Datasheet (PDF)
f3l300r07pe4.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R07PE4IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTCEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
f3l300r07pe4p.pdf

F3L300R07PE4PEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT /pre-applied Thermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwe
f3l300r12mt4p-b23.pdf

F3L300R12MT4P_B23EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12mt4p-b22.pdf

F3L300R12MT4P_B22EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
Otros transistores... 1MBI200N-120 , IXYX120N120C3 , MPMD200B120RH , IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , IRG7IC28U , APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH , IXYT80N90C3 , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , MPMC150B120RH .
History: APT50GT60BRG | JNG15T120HFU2 | MWI75-12T7T | VWI20-06P1 | IXGX120N120A3 | IRGS14B40L | APT25GP90BDQ1G
History: APT50GT60BRG | JNG15T120HFU2 | MWI75-12T7T | VWI20-06P1 | IXGX120N120A3 | IRGS14B40L | APT25GP90BDQ1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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