F3L300R07PE4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L300R07PE4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 940 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Encapsulados: ECONOPACK4
Búsqueda de reemplazo de F3L300R07PE4 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
F3L300R07PE4 datasheet
f3l300r07pe4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L300R07PE4 IGBT-modules EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EconoPACK 4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications
f3l300r07pe4p.pdf
F3L300R07PE4P EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoPACK 4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / pre-applied Thermal Interface Material Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwe
f3l300r12mt4p-b23.pdf
F3L300R12MT4P_B23 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12mt4p-b22.pdf
F3L300R12MT4P_B22 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-
Otros transistores... 1MBI200N-120 , IXYX120N120C3 , MPMD200B120RH , IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , SGT50T65FD1PN , APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH , IXYT80N90C3 , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , MPMC150B120RH .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554












