F3L300R07PE4 Todos los transistores

 

F3L300R07PE4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F3L300R07PE4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 940 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: ECONOPACK4

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F3L300R07PE4 datasheet

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F3L300R07PE4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L300R07PE4 IGBT-modules EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EconoPACK 4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications

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F3L300R07PE4

F3L300R07PE4P EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoPACK 4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / pre-applied Thermal Interface Material Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwe

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F3L300R07PE4

F3L300R12MT4P_B23 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-

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F3L300R07PE4

F3L300R12MT4P_B22 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-

Otros transistores... 1MBI200N-120 , IXYX120N120C3 , MPMD200B120RH , IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , SGT50T65FD1PN , APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH , IXYT80N90C3 , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , MPMC150B120RH .

 

 

 


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