IXYT80N90C3 Todos los transistores

 

IXYT80N90C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYT80N90C3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 830 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 165 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 103 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 243 pF
   Paquete / Cubierta: TO268
 

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IXYT80N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
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IXYT80N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYT80N90C3GenX3TM IC110 = 80AIXYH80N90C3 VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 86nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-268 (IXYT)GESymbol Test Conditions Maximum RatingsC (Tab)VCES TJ = 25C to 175C 900 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VTO-247 (IXYH)VGES Continuous 20 V

Otros transistores... IXYX100N120C3 , APT80GP60B2G , APT75GP120B2G , APT100GN120B2G , MPMC200B120RH , F3L300R07PE4 , APT65GP60L2DQ2G , MPMD150B120RH , FGA60N65SMD , APT102GA60B2 , APT102GA60L , MPMD100B120RH , IRGPS4067D , MPMC150B120RH , MPMC100B120RH , APT200GN60B2G , TGL40N120FD .

History: TGAN25N120ND | MMG450WB120B6TC | IGP03N120H2 | APT46GA90JD40 | DIM800NSM33-F | SRE50N065FSUD6 | APT15GP60KG

 

 
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