STGD6NC60H-1 Todos los transistores

 

STGD6NC60H-1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STGD6NC60H-1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 60 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 5 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 32 pF

Encapsulados: TO251

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STGD6NC60H-1 datasheet

 ..1. Size:370K  st
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STGD6NC60H-1

STGD6NC60H-1 N-channel 600 V, 7 A - IPAK Very fast PowerMESH IGBT Datasheet - production data Features IC VCE(sat) TAB Type VCES max@25 C @100 C STGD6NC60H 600V

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STGD6NC60H-1

STGD6NC60H N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH IGBT General features IC VCE(sat)Max Type VCES @25 C @100 C STGD6NC60H 600V

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STGD6NC60H-1

STGD6NC60HD N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH IGBT General features IC VCE(sat)Max Type VCES @25 C @100 C STGD6NC60HD 600V

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STGD6NC60H-1

STGD6M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 6 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor control Figure 1 Interna

Otros transistores... IRGB4607D , IRGR4607D , IRGS4607D , STGFW20H65FB , STGFW30H65FB , STGFW30V60DF , STGFW30V60F , STGFW40H65FB , IKW40N65WR5 , STGFW40V60F , STGFW40V60DF , RJH60V2BDPE , IKP08N65F5 , IKP08N65H5 , IKD04N60RA , IRG4MC30F , IRGB4610D .

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