HGTD8P50G1S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTD8P50G1S
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: G8P50G
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 66 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 16 nC
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de HGTD8P50G1S - IGBT
HGTD8P50G1S Datasheet (PDF)
hgtd8p50.pdf
HGTD8P50G1,S E M I C O N D U C T O RHGTD8P50G1S8A, 500V P-Channel IGBTsMay 1996Features PackageJEDEC TO-251AA 8A, 500VEMITTER 3.7V VCE(SAT)COLLECTORGATE Typical Fall Time - 1800ns High Input Impedance(FLANGE) TJ = +150oCCOLLECTORDescriptionJEDEC TO-252AAThe HGTD8P50G1 and the HGTD8P50G1S are P-channelenhancement-mode insulated gate bipolar
Otros transistores... HGTD6N50E1S , HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGT1S2N120CNS , HGTD8P50G1 , TGD30N40P , HGTD8P50G1S9A , HGTG10N120BN , HGTG10N120BND , HGTG11N120CN , HGTG11N120CND , HGTG12N60A4 , HGTG12N60A4D , HGTG12N60B3D .
Liste
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