HGTD8P50G1S Todos los transistores

 

HGTD8P50G1S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGTD8P50G1S
   Tipo de transistor: IGBT
   Código de marcado: G8P50G
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 66 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 16 nC
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGTD8P50G1S Datasheet (PDF)

 6.1. Size:152K  harris semi
 hgtd8p50.pdf pdf_icon

HGTD8P50G1S

HGTD8P50G1,S E M I C O N D U C T O RHGTD8P50G1S8A, 500V P-Channel IGBTsMay 1996Features PackageJEDEC TO-251AA 8A, 500VEMITTER 3.7V VCE(SAT)COLLECTORGATE Typical Fall Time - 1800ns High Input Impedance(FLANGE) TJ = +150oCCOLLECTORDescriptionJEDEC TO-252AAThe HGTD8P50G1 and the HGTD8P50G1S are P-channelenhancement-mode insulated gate bipolar

Otros transistores... HGTD6N50E1S , HGTD7N60A4S , HGTD7N60B3 , HGTD7N60B3S , HGTD7N60C3 , HGTD7N60C3S , HGT1S2N120CNS , HGTD8P50G1 , IKW30N60H3 , HGTD8P50G1S9A , HGTG10N120BN , HGTG10N120BND , HGTG11N120CN , HGTG11N120CND , HGTG12N60A4 , HGTG12N60A4D , HGTG12N60B3D .

History: APT75GN120B2G | MUBW10-12A7 | HGTP1N120BND | AMPBW50N65E

 

 
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