STGB40V60F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGB40V60F
Tipo de transistor: IGBT
Código de marcado: GB40V60F
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 283 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 226 nC
Paquete / Cubierta: TO263
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STGB40V60F Datasheet (PDF)
stgb40v60f stgfw40v60f stgp40v60f stgw40v60f.pdf
STGB40V60F, STGFW40V60F STGP40V60F, STGW40V60FDatasheetTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off33122 1 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 AD PAKTO-3PF Tight parameters distributionTAB Safe paralleling Low thermal resistance33221
stgb40v60f.pdf
STGB40V60F, STGFW40V60F, STGP40V60F, STGW40V60FTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C111 Tail-less switching off31 VCE(sat) = 1.8 V (typ.) @ IC = 40 A3D2PAK 21 Tight parameters distributionTAB TO-3PF Safe paralleling Low thermal
stgb40h65fb.pdf
STGB40H65FBDatasheetTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speedFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current23 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A1 Tight parameter distributionDPAK Safe paralleling Low thermal resistanceC(2, TAB)Applicat
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