HGTG20N60C3D Todos los transistores

 

HGTG20N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGTG20N60C3D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: G20N60C3D
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 164 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 45 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.3 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 91 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

HGTG20N60C3D Datasheet (PDF)

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HGTG20N60C3D

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HGTG20N60C3D

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History: RJP30H1DPP-M0 | GT30F123 | MM10G3T120B

 

 
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