HGTG20N60C3D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTG20N60C3D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G20N60C3D
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 164 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 45 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.3 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 91 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
HGTG20N60C3D Datasheet (PDF)
Otros transistores... HGTG20N120CN , HGTG20N120CND , HGTG20N120E2 , HGTG20N60A4 , HGTG20N60A4D , HGTG20N60B3 , HGTG20N60B3D , HGTG20N60C3 , GT30J122 , HGTG20N60C3DR , HGTG20N60C3R , HGTG27N120BN , HGTG27N60C3DR , HGTG27N60C3R , HGTG30N120CN , HGTG30N60A4 , HGTG30N60A4D .
History: RJP30H1DPP-M0 | GT30F123 | MM10G3T120B
History: RJP30H1DPP-M0 | GT30F123 | MM10G3T120B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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