FF200R06KE3 Todos los transistores

 

FF200R06KE3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FF200R06KE3
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 680 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE

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FF200R06KE3 Datasheet (PDF)

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R06KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled3 Diode 62mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 600 Vvj CESColle

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/ Technical InformationIGBT-FF200R06YE3IGBT-modulesIGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated ValuesT = 25C V 600 Vvj CESCollector-emitter voltageDC T = 50C, T = 175C I 200 AC vj max C nomCo

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ff200r33kf2c.pdf

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF200R33KF2CIGBT-ModuleVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25C 3300vjV VCESCollector-emitter voltage T = -25C 3300vjKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 200 AC vj max C nomContin

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KS4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switchingV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Appli

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE3IGBT-modulesIGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 200 AC vj max C nomContinuous DC collector current T = 25C, T = 150C I 295 A

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT3_EIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter 62mm C-series module with common emitter Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor

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FF200R12KS4P62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 fr hochfrequentes Schalten und bereits aufgetragenemThermal Interface Material62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and pre-applied Thermal InterfaceMaterialV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Anwendungen fr Resonanz Umrichter Reso

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ff200r12kt3-e.pdf

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT3_EIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit gemeinsamen Emitter 62mm C-series module with common emitter Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor

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ff200r17ke4.pdf

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R17KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode62mm C-Series module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diodeVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications H

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KT4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und optimierter Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated V

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/ Technical InformationIGBT-FF200R12MT4IGBT-modulesEconoDUAL2 / IGBT4 and 4diode and NTCEconoDUAL2 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC / Prelimina

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ff200r12ke4p.pdf

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF200R12KE4PIGBT-Module62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und bereitsaufgetragenem Thermal Interface Material62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and pre-appliedThermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VC

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/ Technical InformationIGBT-FF200R12KT3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT- / IGBT,Inverter / Maximum Rated Values

 8.12. Size:463K  infineon
ff200r12ke4.pdf

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R12KE4IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT,Wechselrichter / IGBT,InverterHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vvj CESColle

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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF200R17KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT und Emitter ControlledDiode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode Vorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspa

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