IXYN100N65B3D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYN100N65B3D1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 185 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 37 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 470 pF
Encapsulados: SOT227
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IXYN100N65B3D1 datasheet
ixyn100n65a3.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 650V 650V XPTTM IGBT IXYN100N65A3 IC110 = 100A GenX3TM VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 122ns Ultra Low-Vsat PT IGBT for up to 5kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G
ixyn100n65c3h1.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V GenX3TM IXYN100N65C3H1 IC110 = 90A w/ Sonic Diode VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, R
ixyn100n120c3h1.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYN100N120C3H1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 60A VCE(sat) 3.50V tfi(typ) = 110ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V G VGES C
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