IXXN100N60B3H1 Todos los transistores

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IXXN100N60B3H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXXN100N60B3H1

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 500

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 170

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 70

Capacitancia de salida (Cc), pF: 475

Empaquetado / Estuche: SOT227

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IXXN100N60B3H1 Datasheet (PDF)

1.1. ixxn100n60b3h1.pdf Size:211K _igbt_a

IXXN100N60B3H1
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Advance Technical Information XPTTM 600V VCES = 600V IXXN100N60B3H1 GenX3TM w/ Diode IC90 = 100A ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 1.80V ≤ ≤ tfi(typ) = 150ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V E VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V G VGES Continuous ±

5.1. ixxn110n65c4h1.pdf Size:218K _igbt_a

IXXN100N60B3H1
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VCES = 650V XPTTM 650V GenX4TM IXXN110N65C4H1 IC110 = 110A w/ Sonic Diode   VCE(sat)    2.35V     tfi(typ) = 30ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 E  Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25°C to 175°C 650 V VCGR TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M

5.2. ixxn110n65b4h1.pdf Size:224K _igbt_a

IXXN100N60B3H1
IXXN100N60B3H1

VCES = 650V XPTTM 650V GenX4TM IXXN110N65B4H1 IC110 = 110A w/ Sonic Diode   VCE(sat)    2.1V     tfi(typ) = 85ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E  VCES TJ = 25°C to 175°C 650 V G VCGR TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M 6

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