IXXN100N60B3H1 Todos los transistores

 

IXXN100N60B3H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXXN100N60B3H1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 170 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 475 pF
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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IXXN100N60B3H1 PDF specs

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IXXN100N60B3H1

Advance Technical Information XPTTM 600V VCES = 600V IXXN100N60B3H1 GenX3TM w/ Diode IC90 = 100A VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 150ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous ... See More ⇒

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IXXN100N60B3H1

VCES = 650V XPTTM 650V GenX4TM IXXN110N65C4H1 IC110 = 110A w/ Sonic Diode VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 30ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 E Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M ... See More ⇒

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IXXN100N60B3H1

VCES = 650V XPTTM 650V GenX4TM IXXN110N65B4H1 IC110 = 110A w/ Sonic Diode VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 85ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 6... See More ⇒

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