IXXN110N65C4H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXN110N65C4H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 210 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.35 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 46 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 440 pF
Paquete / Cubierta: SOT227
Búsqueda de reemplazo de IXXN110N65C4H1 - IGBT
IXXN110N65C4H1 Datasheet (PDF)
ixxn110n65c4h1.pdf
VCES = 650VXPTTM 650V GenX4TM IXXN110N65C4H1IC110 = 110Aw/ Sonic Diode VCE(sat) 2.35V tfi(typ) = 30nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOC E153432E Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M
ixxn110n65b4h1.pdf
VCES = 650VXPTTM 650V GenX4TM IXXN110N65B4H1IC110 = 110Aw/ Sonic Diode VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 85nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 175C 650 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 6
ixxn100n60b3h1.pdf
Advance Technical InformationXPTTM 600V VCES = 600VIXXN100N60B3H1GenX3TM w/ Diode IC90 = 100A VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 150nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V E VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous
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