IXGM40N60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGM40N60
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 200 nC
Paquete / Cubierta: TO204AE
- Selección de transistores por parámetros
IXGM40N60 Datasheet (PDF)
ixgm40n60.pdf
VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 40 N60 600 V 75 A 2.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 40 N60A 600 V 75 A 3.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AIC90 TC = 90C40 A TO-204 AE (IXGM)I
ixgm40n60a.pdf
VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT IXGH/IXGM 40 N60 600 V 75 A 2.5 VHigh speed IGBT IXGH/IXGM 40 N60A 600 V 75 A 3.0 VSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AIC90 TC = 90C40 A TO-204 AE (IXGM)I
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: 1MBI400NA-120 | IXGE200N60B
History: 1MBI400NA-120 | IXGE200N60B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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