IXGP10N60A Todos los transistores

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IXGP10N60A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGP10N60A

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 200

Capacitancia de salida (Cc), pF: 100

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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IXGP10N60A Datasheet (PDF)

1.1. ixgp10n60-a ixga10n60-a ixgh10n60-a.pdf Size:56K _ixys

IXGP10N60A
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Preliminary data VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 V High speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 V TO-220AB(IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C E VCES TJ = 25C to 150C 600 V VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M? 600 V TO-263 AA (IXGA) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC = 25C20 A C (TAB) E IC90 TC = 9

1.2. ixgp10n60a.pdf Size:42K _igbt

IXGP10N60A
IXGP10N60A

Preliminary data VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 V High speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 V TO-220AB(IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C E VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V TO-263 AA (IXGA) VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V G IC25 TC = 25°C20 A C (TAB) E

1.3. ixgp10n60.pdf Size:42K _igbt

IXGP10N60A
IXGP10N60A

Preliminary data VCES IC25 VCE(sat) Low VCE(sat) IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60 600 V 20 A 2.5 V High speed IGBT IXGA/IXGP/IXGH10N60A 600 V 20 A 3.0 V TO-220AB(IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C E VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V TO-263 AA (IXGA) VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V G IC25 TC = 25°C20 A C (TAB) E

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