IXXK200N65B4 Todos los transistores

 

IXXK200N65B4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXXK200N65B4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1630 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 480 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 76 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 670 pF

Encapsulados: TO264

 Búsqueda de reemplazo de IXXK200N65B4 IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXXK200N65B4 datasheet

 ..1. Size:240K  ixys
ixxk200n65b4.pdf pdf_icon

IXXK200N65B4

Preliminary Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXXK200N65B4 IC110 = 200A GenX4TM IXXX200N65B4 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 80ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) G C Symbol Test Conditions Maximum Ratings E Tab VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to

 5.1. Size:209K  ixys
ixxk200n60b3.pdf pdf_icon

IXXK200N65B4

Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK200N60B3 IC110 = 200A GenX3TM IXXX200N60B3 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Continuous 20 V VGE

 5.2. Size:209K  ixys
ixxk200n60c3.pdf pdf_icon

IXXK200N65B4

Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK200N60C3 IC110 = 200A GenX3TM IXXX200N60C3 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 80ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Continuous 20 V VGEM

Otros transistores... IXGP10N60 , IXGP10N60A , IXXH80N65B4 , IXXH80N65B4H1 , IXXK110N60B4H1 , IXXK110N65B4H1 , IXXK160N65B4 , IXXK160N65C4 , TGAN40N60FD , IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 .

History: IXXK300N60B3

 

 

 


History: IXXK300N60B3

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE

 

 

 

Popular searches

irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488

 

 

↑ Back to Top
.