IXXK200N65B4 Todos los transistores

 

IXXK200N65B4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXXK200N65B4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1630 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 480 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 76 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 670 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXXK200N65B4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  ixys
 ixxk200n65b4.pdf pdf_icon

IXXK200N65B4

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXXK200N65B4IC110 = 200AGenX4TM IXXX200N65B4 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)GCSymbol Test Conditions Maximum RatingsETabVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to

 5.1. Size:209K  ixys
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IXXK200N65B4

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK200N60B3IC110 = 200AGenX3TM IXXX200N60B3 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 VVGE

 5.2. Size:209K  ixys
 ixxk200n60c3.pdf pdf_icon

IXXK200N65B4

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK200N60C3IC110 = 200AGenX3TM IXXX200N60C3 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 VVGEM

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History: 2MBI200NT-120-02 | 2MBI200TA-060 | IXGH50N60B2 | ISL9V3036S3S | IQGB228N120GB4 | SRE100N065FSUD6

 

 
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