IXXK300N60C3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXK300N60C3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 510 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 743 pF
Encapsulados: TO264
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IXXK300N60C3 datasheet
ixxk300n60c3.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IGBTs IXXK300N60C3 IC110 = 300A GenX3TM IXXX300N60C3 VCE(sat) 2.0V tfi(typ) = 82ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Continuous 20 V
ixxk300n60b3.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IGBTs IXXK300N60B3 IC110 = 300A GenX3TM IXXX300N60B3 VCE(sat) 1.6V tfi(typ) = 95ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Continuous 20 V
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