IXXX200N65B4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXX200N65B4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1630 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 480 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 76 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 670 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 553 nC
Paquete / Cubierta: PLUS247
- Selección de transistores por parámetros
IXXX200N65B4 Datasheet (PDF)
ixxx200n65b4.pdf

Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXXK200N65B4IC110 = 200AGenX4TM IXXX200N65B4 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)GCSymbol Test Conditions Maximum RatingsETabVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to
ixxx200n60c3.pdf

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK200N60C3IC110 = 200AGenX3TM IXXX200N60C3 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 VVGEM
ixxx200n60b3.pdf

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK200N60B3IC110 = 200AGenX3TM IXXX200N60B3 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 VVGE
Otros transistores... IXXK300N60B3 , IXXK300N60C3 , IXXQ30N60B3M , IXXX100N60B3H1 , IXXX110N60B4H1 , IXXX110N65B4H1 , IXXX160N65B4 , IXXX160N65C4 , RJP6065DPM , IXXX300N60C3 , IXYH100N65B3 , IXYH100N65C3 , IXYH120N65B3 , IXYH120N65C3 , IXYH20N65B3 , IXYH20N65C3 , IXYH24N90C3 .
History: MSG40T120FQC | IRGS4640D
History: MSG40T120FQC | IRGS4640D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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