IXYH120N65B3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYH120N65B3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1360 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 340 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 393 pF
Encapsulados: TO247
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IXYH120N65B3 datasheet
ixyh120n65b3.pdf
Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYH120N65B3 IC110 = 120A GenX3TM VCE(sat) 1.90V tfi(typ) = 107ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V C T
ixyh120n65c3.pdf
Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYH120N65C3 IC110 = 120A GenX3TM VCE(sat) 2.8V tfi(typ) = 46ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V C Tab
ixyh100n65b3.pdf
Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYH100N65B3 IC110 = 100A GenX3TM VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 73ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V C Ta
ixyh100n65c3.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXYH100N65C3 IC110 = 100A GenX3TM VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V C
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