IXYH24N90C3 Todos los transistores

 

IXYH24N90C3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYH24N90C3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 240 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 64 pF

Encapsulados: TO247

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IXYH24N90C3 datasheet

 ..1. Size:168K  ixys
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IXYH24N90C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBT VCES = 900V IXYH24N90C3 GenX3TM IC110 = 24A VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 90ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E Tab IC25 TC = 25

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IXYH24N90C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBT VCES = 900V IXYH24N90C3D1 GenX3TM w/Diode IC90 = 24A VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 90ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 900 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E Tab IC25

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IXYH24N90C3

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IXYH24N90C3

Advance Technical Information XPTTM 650V IGBT VCES = 650V IXYA20N65B3 GenX3TM IC110 = 20A IXYP20N65B3 VCE(sat) 2.10V IXYH20N65B3 tfi(typ) = 87ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching TO-263 (IXYA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXYP) VCES TJ = 25 C to 175 C 650

Otros transistores... IXXX200N65B4 , IXXX300N60C3 , IXYH100N65B3 , IXYH100N65C3 , IXYH120N65B3 , IXYH120N65C3 , IXYH20N65B3 , IXYH20N65C3 , GT50JR22 , IXYH24N90C3D1 , IXYH30N170C , IXYH30N450HV , IXYH30N65B3D1 , IXYH30N65C3 , IXYH30N65C3H1 , IXYP20N65B3 , IXYP20N65B3D1 .

 

 

 


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