IXYH30N450HV Todos los transistores

 

IXYH30N450HV IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYH30N450HV

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 430 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 318 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 83 pF

Encapsulados: TO247HV

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IXYH30N450HV datasheet

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IXYH30N450HV

Advance Technical Information High Voltage XPTTM VCES = 4500V IXYT30N450HV IGBT IXYH30N450HV IC110 = 30A VCE(sat) 3.9V TO-268HV (IXYT) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 4500 V TO-247HV (IXYH) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 4500 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 60 A G I

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IXYH30N450HV

1200V XPTTM VCES = 1200V IXYP30N120C3 GenX3TM IGBTs IC110 = 30A IXYH30N120C3 VCE(sat) 3.3V tfi(typ) = 88ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-220 (IXYP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 1200 V G C Tab E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 2

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IXYH30N450HV

N E W P R O D U C T B R I E F Efficiency Through Technology 1200V XPT IGBTs Extreme-Light Punch-Through IGBTs for High-Speed Hard-Switching Applications October 2012 OVERVIEW TO-247 IXYS Corporation expands its 1200V XPT IGBT product line. With current ratings of up to 220A, these new devices are designed to minimize switching losses in high-voltage, hard-switching applica- tion

 7.3. Size:1279K  ixys
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IXYH30N450HV

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