IXYP30N65C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYP30N65C3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 270
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 650
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 60
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.7
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 42
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 75
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 44
Paquete / Cubierta: TO220
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IXYP30N65C3 Datasheet (PDF)
ixyp30n65c3.pdf
XPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXYP30N65C3GenX3TM IC110 = 30AIXYH30N65C3 VCE(sat) 2.7V tfi(typ) = 24nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-220Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCTabVCES TJ = 25C to 175C 650 V EVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VTO-247VGES Conti
ixyp30n120c3.pdf
N E W P R O D U C T B R I E FEfficiency Through Technology1200V XPT IGBTsExtreme-Light Punch-Through IGBTs for High-Speed Hard-Switching ApplicationsOctober 2012OVERVIEWTO-247IXYS Corporation expands its 1200V XPT IGBT product line. With current ratings of up to 220A, these new devices are designed to minimize switching losses in high-voltage, hard-switching applica-tion
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Liste
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